ধাতু, অপধাতু এবং অধাতুর বৈশিষ্ট্য

From LTRC

রাসায়নিক মৌলগুলোকে তাদের ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যের ভিত্তিতে মোটামুটিভাবে ধাতু, অপধাতু এবং অধাতু—এই তিন ভাগে ভাগ করা যায়। মৌলিক ধাতুগুলোর বৈশিষ্ট্য হলো: এগুলো দেখতে চকচকে (অন্তত সদ্য পালিশ করা অবস্থায়), তাপ ও বিদ্যুতের সুপরিবাহী, অন্যান্য ধাতব মৌলের সাথে সংকর ধাতু গঠন করে এবং এদের অন্তত একটি ক্ষারীয় অক্সাইড থাকে। অপধাতুগুলো দেখতে ধাতুর মতো, সাধারণত ভঙ্গুর কঠিন পদার্থ, যা অর্ধপরিবাহী বা সেমিমেটাল হিসেবে কাজ করে এবং এদের অক্সাইডগুলো উভধর্মী বা মৃদু অম্লীয় প্রকৃতির হয়। সাধারণ মৌলিক অধাতুগুলো দেখতে অনুজ্জ্বল, রঙিন বা বর্ণহীন; কঠিন অবস্থায় এগুলো সাধারণত ভঙ্গুর; তাপ ও বিদ্যুতের কুপরিবাহী এবং এদের অক্সাইডগুলো অম্লীয় হয়। প্রতিটি শ্রেণির অধিকাংশ বা কিছু মৌল অন্যান্য অনেক বৈশিষ্ট্য ভাগ করে নেয়; আবার কিছু মৌলের বৈশিষ্ট্য তাদের শ্রেণির সাধারণ বৈশিষ্ট্যের তুলনায় অস্বাভাবিক বা ব্যতিক্রমী।

বৈশিষ্ট্য

ধাতু

বিশুদ্ধ (৯৯.৯৭%+) লোহা, তড়িৎ বিশ্লেষণ পদ্ধতিতে পরিশোধিত, সাথে একটি উচ্চ-বিশুদ্ধ (৯৯.৯৯৯৯% = 6N) ১ সেমি৩ কিউব

মূল নিবন্ধ: Metal মৌলিক ধাতুগুলো উজ্জ্বল দেখায় (কোনো প্যাটিনা বা আস্তরণের নিচে); অন্যান্য মৌলের সাথে যুক্ত হয়ে যৌগ (সংকর ধাতু) গঠন করে; অন্য পদার্থের সাথে বিক্রিয়ার সময় ইলেকট্রন ত্যাগ বা ভাগাভাগি করে এবং প্রতিটি ধাতু অন্তত একটি প্রধানত ক্ষারীয় অক্সাইড গঠন করে।

অধিকাংশ ধাতু রুপালি বর্ণের, উচ্চ ঘনত্বের কঠিন পদার্থ, যা নমনীয় (plastically deformed) হতে পারে। এদের তড়িৎ পরিবাহিতা ও তাপ পরিবাহিতা ভালো, নিবিড়ভাবে বিন্যস্ত গঠন, নিম্ন আয়নন শক্তি ও তড়িৎ ঋণাত্মকতা থাকে এবং প্রকৃতিতে এগুলো সাধারণত যৌগিক অবস্থায় পাওয়া যায়।

কিছু ধাতু রঙিন (Cu, Cs, Au), নিম্ন ঘনত্ব বিশিষ্ট (যেমন: Be, Al) অথবা অত্যন্ত উচ্চ গলনাঙ্ক বিশিষ্ট (যেমন: W, Nb) হয়। কিছু ধাতু কক্ষ তাপমাত্রায় বা তার কাছাকাছি তরল (যেমন: Hg, Ga), ভঙ্গুর (যেমন: Os, Bi), সহজে যন্ত্রে আকার দেওয়া যায় না এমন (যেমন: Ti, Re), অথবা নিষ্ক্রিয় (সহজে জারিত হয় না, যেমন: Au, Pt)। আবার কিছু ধাতুর গঠন অধাতুর মতো (যেমন: Mn এবং Ga-এর গঠন যথাক্রমে সাদা ফসফরাস এবং আয়োডিন-এর অনুরূপ)।

পর্যায় সারণির অধিকাংশ মৌলই ধাতু এবং এদের বিভিন্ন শ্রেণিতে ভাগ করা যায়। পর্যায় সারণির বাম থেকে ডানে এই শ্রেণিগুলোর মধ্যে রয়েছে অত্যন্ত সক্রিয় ক্ষার ধাতু; অপেক্ষাকৃত কম সক্রিয় মৃৎ ক্ষার ধাতু, ল্যান্থানাইড এবং তেজস্ক্রিয় অ্যাক্টিনাইড; আদর্শ অবস্থান্তর ধাতু; এবং ভৌত ও রাসায়নিকভাবে দুর্বল পোস্ট-ট্রানজিশন ধাতু। এছাড়াও রিফ্র্যাক্টরি ধাতু এবং নোবেল ধাতু-র মতো বিশেষ উপশ্রেণিও বিদ্যমান।

অপধাতু

একটি চকচকে রুপালি-সাদা পদক যার পৃষ্ঠতল খাঁজকাটা, বাইরের দিকটা অমসৃণ এবং মাঝখানে বর্গাকার সর্পিল প্যাটার্ন রয়েছে
টেলুরিয়াম, যাকে দিমিত্রি মেন্ডেলিভ ধাতু ও অধাতুর মধ্যবর্তী একটি শ্রেণি হিসেবে বর্ণনা করেছিলেন[1]

মূল নিবন্ধ: Metalloid অপধাতুগুলো দেখতে ধাতুর মতো এবং প্রায়শই ভঙ্গুর কঠিন পদার্থ। এরা অন্য পদার্থের সাথে বিক্রিয়ার সময় ইলেকট্রন ভাগাভাগি করতে পছন্দ করে; এদের অক্সাইডগুলো মৃদু অম্লীয় বা উভধর্মী হয় এবং প্রকৃতিতে এগুলো সাধারণত যৌগিক অবস্থায় পাওয়া যায়।

এদের অধিকাংশই অর্ধপরিবাহী বা সেমিমেটাল, মাঝারি তাপ পরিবাহী এবং এদের গঠন অধিকাংশ ধাতুর তুলনায় কিছুটা উন্মুক্ত।

কিছু অপধাতু (As, Sb) ধাতুর মতো বিদ্যুৎ পরিবহন করে।

অপধাতু মৌলগুলোর সবচেয়ে ছোট প্রধান শ্রেণি, তাই এদের আর উপশ্রেণিতে ভাগ করা হয় না।

অধাতু

২৫ মিলি ব্রোমিন, যা কক্ষ তাপমাত্রায় একটি গাঢ় লাল-বাদামী তরল

মূল নিবন্ধ: Nonmetal (chemistry) অধাতব মৌলগুলোর গঠন প্রায়শই উন্মুক্ত হয়; অন্য পদার্থের সাথে বিক্রিয়ার সময় এরা ইলেকট্রন গ্রহণ বা ভাগাভাগি করতে পছন্দ করে এবং এরা স্পষ্টভাবে ক্ষারীয় অক্সাইড গঠন করে না।

এদের অনেকেই কক্ষ তাপমাত্রায় গ্যাসীয়; এদের ঘনত্ব তুলনামূলকভাবে কম; এরা তাপ ও বিদ্যুতের কুপরিবাহী; এদের আয়নন শক্তি ও তড়িৎ ঋণাত্মকতা তুলনামূলকভাবে বেশি; এরা অম্লীয় অক্সাইড গঠন করে এবং প্রকৃতিতে প্রচুর পরিমাণে মুক্ত অবস্থায় পাওয়া যায়।

কিছু অধাতু (কালো ফসফরাস, সালফার এবং সেলেনিয়াম) কক্ষ তাপমাত্রায় ভঙ্গুর কঠিন পদার্থ (যদিও এদের প্রত্যেকেরই নমনীয় বা প্রসারণযোগ্য অ্যালোট্রোপ বা রূপভেদ রয়েছে)।

পর্যায় সারণির বাম থেকে ডানে অধাতুগুলোকে সক্রিয় অধাতু এবং নিষ্ক্রিয় গ্যাসে ভাগ করা যায়। অপধাতুর কাছাকাছি থাকা সক্রিয় অধাতুগুলোতে ধাতব বৈশিষ্ট্যের প্রাথমিক লক্ষণ দেখা যায়, যেমন গ্রাফাইট, কালো ফসফরাস, সেলেনিয়াম এবং আয়োডিনের ধাতব উজ্জ্বলতা। নিষ্ক্রিয় গ্যাসগুলো প্রায় সম্পূর্ণ নিষ্ক্রিয়।

বৈশিষ্ট্যের তুলনা

ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য[n 1]
ধাতু[2] অপধাতু অধাতু[2]
আকৃতি ও গঠন
বর্ণ * 1=প্রায় সবই চকচকে এবং ধূসর-সাদা
  • 2=Cu, Cs, Au: চকচকে এবং সোনালি[3]
 * 1=চকচকে এবং ধূসর-সাদা[4] * 1=অধিকাংশই বর্ণহীন অথবা অনুজ্জ্বল লাল, হলুদ, সবুজ বা মধ্যবর্তী শেডের[5]
  • 2=C, P, Se, I: চকচকে এবং ধূসর-সাদা
প্রতিফলন ক্ষমতা * 1=মাঝারি থেকে সাধারণত উচ্চ[6][7] * 1=মাঝারি[8][9] * 1=শূন্য বা নিম্ন (অধিকাংশ ক্ষেত্রে)[10] থেকে মাঝারি[11]
STP-তে পদার্থের অবস্থা * 1=প্রায় সবই কঠিন * 1=সবই কঠিন[4] * 1=অধিকাংশই গ্যাসীয়[15]
  • 2= C, P, S, Se, I: কঠিন; Br: তরল
ঘনত্ব * 1=সাধারণত উচ্চ, তবে ক্ষার ধাতুর মতো কিছু ব্যতিক্রম আছে[16] * 1=নিকটবর্তী ধাতুর চেয়ে কম কিন্তু নিকটবর্তী অধাতুর চেয়ে বেশি[17] * 1=প্রায়শই কম
বিকৃতিযোগ্যতা (কঠিন অবস্থায়) * 1=অধিকাংশই নমনীয় (ductile) এবং প্রসারণযোগ্য (malleable) * 1=প্রায়শই ভঙ্গুর[21] * 1=প্রায়শই ভঙ্গুর
  • 2=কিছু মৌলের (C, P, S, Se) অভঙ্গুর রূপভেদ রয়েছে[n 4]
পয়সনের অনুপাত[n 5] * 1=নিম্ন থেকে উচ্চ[n 6] * 1=নিম্ন থেকে মাঝারি[n 7] * 1=নিম্ন থেকে মাঝারি[n 8]
হিমাঙ্কে স্ফটিক গঠন[40] * 1=অধিকাংশই হেক্সাগোনাল বা কিউবিক
  • 2=Ga, U, Np: অর্থোরম্বিক; In, Sn, Pa: টেট্রাগোনাল; Sm, Hg, Bi: রম্বোহেড্রাল; Pu: মনোক্লিনিক
 * 1=B, As, Sb: রম্বোহেড্রাল
  • 2=Si, Ge: কিউবিক
  • 3=Te: হেক্সাগোনাল
 * 1=H, He, C, N, Se: হেক্সাগোনাল
  • 2=O, F, Ne, P, Ar, Kr, Xe, Rn: কিউবিক
  • 3=S, Cl, Br, I: অর্থোরম্বিক
প্যাকিং ও সমন্বয় সংখ্যা * 1=নিবিড়ভাবে বিন্যস্ত স্ফটিক গঠন[41]
  • 2=উচ্চ সমন্বয় সংখ্যা
 * 1=তুলনামূলকভাবে উন্মুক্ত স্ফটিক গঠন[42]
  • 2=মাঝারি সমন্বয় সংখ্যা[43]
 * 1=উন্মুক্ত গঠন[44]
  • 2=নিম্ন সমন্বয় সংখ্যা
পারমাণবিক ব্যাসার্ধ
(গণনাকৃত)[45] 		* 1=মাঝারি থেকে অত্যন্ত বড়
  • 2=১১২–২৯৮ পিকোমিটার, গড় ১৮৭
 * 1=ছোট থেকে মাঝারি: B, Si, Ge, As, Sb, Te
  • 2=৮৭–১২৩ পিএম, গড় ১১৫.৫ পিএম
 * 1=খুব ছোট থেকে মাঝারি
  • 2=৩১–১২০ পিএম, গড় ৭৬.৪ পিএম
রূপভেদ[46][n 9] * 1=প্রায় অর্ধেক মৌল রূপভেদ গঠন করে
  • 2=একটি (Sn)-এর অপধাতুর মতো রূপভেদ আছে (ধূসর Sn, যা ১৩.২ °সে.-এর নিচে গঠিত হয়[47])
 * 1=সব বা প্রায় সব মৌলই রূপভেদ গঠন করে * 1=কিছু মৌল রূপভেদ গঠন করে
ইলেকট্রন-সম্পর্কিত
পর্যায় সারণির ব্লক * 1=s, p, d, f[48] * 1=p[49] * 1=s, p[49]
বাইরের s এবং p ইলেকট্রন * 1=সংখ্যায় কম (১–৩)
  • 2=ব্যতিক্রম ০ (Pd); ৪ (Sn, Pb, Fl); ৫ (Bi); ৬ (Po)
 * 1=মাঝারি সংখ্যা (৩–৭) * 1=সংখ্যায় বেশি (৪–৮)
  • 2=ব্যতিক্রম ১ (H); ২ (He)
ইলেকট্রন ব্যান্ড: (ভ্যালেন্স, কন্ডাকশন) * 1=প্রায় সবগুলোরই উল্লেখযোগ্য ব্যান্ড ওভারল্যাপ থাকে * 1=অধিকাংশেরই সংকীর্ণ ব্যান্ড গ্যাপ থাকে (অর্ধপরিবাহী)
  • 2=As, Sb হলো সেমিমেটাল
 * 1=অধিকাংশেরই প্রশস্ত ব্যান্ড গ্যাপ থাকে (অন্তরক)
ইলেকট্রন আচরণ * 1="মুক্ত" ইলেকট্রন (যা তড়িৎ ও তাপ পরিবাহিতা সহজতর করে) * 1=ভ্যালেন্স ইলেকট্রনগুলো মুক্তভাবে বিচরণ করতে পারে না; উল্লেখযোগ্য সমযোজী বন্ধন বিদ্যমান[50]
  • 23=গোল্ডহ্যামার-হার্জফেল্ড মানদণ্ড[n 10] অনুপাত এককের কাছাকাছি[54][55]
 * 1=কোনো, সামান্য বা দিকনির্দেশকভাবে সীমাবদ্ধ "মুক্ত" ইলেকট্রন নেই (যা সাধারণত তড়িৎ ও তাপ পরিবাহিতা ব্যাহত করে)
তড়িৎ পরিবাহিতা * 1=ভালো থেকে উচ্চ[n 11] * 1=মাঝারি[57] থেকে ভালো[n 12] * 1=খারাপ থেকে ভালো[n 13]
... তরল হিসেবে[63] * 1=তাপমাত্রা বাড়ার সাথে সাথে ধীরে ধীরে কমে[n 14] * 1=অধিকাংশই ধাতুর মতো আচরণ করে[54][65] * 1=তাপমাত্রা বাড়ার সাথে সাথে বৃদ্ধি পায়
তাপগতিবিদ্যা
তাপ পরিবাহিতা * 1=মাঝারি থেকে উচ্চ[66] * 1=অধিকাংশই মাঝারি;[21][67] সিলিকন উচ্চ * 1=প্রায় নগণ্য[68] থেকে অত্যন্ত উচ্চ[69]
রোধের তাপমাত্রা সহগ[n 15] * 1=প্রায় সবই ধনাত্মক (প্লুটোনিয়াম ঋণাত্মক)[70] * 1=ঋণাত্মক (B, Si, Ge, Te) অথবা ধনাত্মক (As, Sb)[71] * 1=প্রায় সবই ঋণাত্মক (C, গ্রাফাইট হিসেবে, এর তলের দিকে ধনাত্মক)[72][73]
গলনাঙ্ক * 1=অধিকাংশই উচ্চ * 1=অধিকাংশই উচ্চ * 1=অধিকাংশই নিম্ন
গলন আচরণ * 1=আয়তন সাধারণত প্রসারিত হয়[74] * 1=কিছু সংকুচিত হয়, যা (অধিকাংশ) ধাতুর বিপরীত[75][76] * 1=আয়তন সাধারণত প্রসারিত হয়[74]
গলনের এনথালপি * 1=নিম্ন থেকে উচ্চ * 1=মাঝারি থেকে অত্যন্ত উচ্চ * 1=খুব নিম্ন থেকে নিম্ন (ব্যতিক্রম C: অত্যন্ত উচ্চ)
মৌলিক রসায়ন
সামগ্রিক আচরণ * 1=ধাতব * 1=অধাতব[77] * 1=অধাতব
আয়ন গঠন * 1=ক্যাটায়ন গঠন করতে পছন্দ করে * 1=পানিতে অ্যানায়ন গঠনের কিছু প্রবণতা আছে[78] * 1=অ্যানায়ন গঠন করতে পছন্দ করে
বন্ধনী * 1=খুব কমই সমযোজী যৌগ গঠন করে * 1=লবণ এবং সমযোজী যৌগ উভয়ই গঠন করে[81] * 1=অনেক সমযোজী যৌগ গঠন করে
জারণ সংখ্যা * 1=প্রায় সবসময় ধনাত্মক * 1=ধনাত্মক বা ঋণাত্মক[82] * 1=ধনাত্মক বা ঋণাত্মক
আয়নন শক্তি * 1=তুলনামূলকভাবে নিম্ন * 1=মাঝারি[83][84] * 1=উচ্চ
তড়িৎ ঋণাত্মকতা * 1=সাধারণত নিম্ন * 1=২-এর কাছাকাছি,[85] অর্থাৎ ১.৯–২.২[86][n 16] * 1=উচ্চ
যৌগিক রূপের রসায়ন
ধাতুর সাথে * 1=সংকর ধাতু গঠন করে * 1=সংকর ধাতু গঠন করতে পারে[81][89][90] * 1=আয়নিক বা ইন্টারস্টিশিয়াল যৌগ গঠন করে
কার্বনের সাথে * 1=কার্বাইড এবং অর্গানোমেটালিক যৌগ * 1=ধাতুর মতোই * 1=কার্বন-অধাতু (যেমন: CO২, CS২)[n 17] বা জৈব (যেমন: CH৪, C৬H১২O৬) যৌগ
হাইড্রোজেনের সাথে (হাইড্রাইড) * 1=আয়নিক, ক্ষার ধাতু, মৃৎ ক্ষার ধাতুর সাথে * 1=সমযোজী, উদ্বায়ী হাইড্রাইড[91] * 1=সমযোজী, গ্যাসীয় বা তরল হাইড্রাইড
অক্সিজেনের সাথে (অক্সাইড) * 1=প্রায় সবই কঠিন (Mn২O৭ একটি তরল) * 1=কঠিন * 1=কঠিন, তরল বা গ্যাসীয়
সালফারের (sulfates) সাথে * 1=অধিকাংশই গঠিত হয়[n 18][n 19] * 1=অধিকাংশই গঠিত হয়[n 20] * 1=কিছু গঠিত হয়[n 21]
হ্যালোজেনের (halides, বিশেষত chlorides) সাথে (আরও দেখুন[116]) * 1=সাধারণত আয়নিক, অ-উদ্বায়ী
  • 2=সাধারণত জৈব দ্রাবকে অদ্রবণীয়
  • 3=অধিকাংশই পানিতে দ্রবণীয় (জলযোজন বা hydrolysed হয় না)
  • 4=উচ্চতর হ্যালোজেন এবং দুর্বল ধাতুর সাথে অধিক সমযোজী, উদ্বায়ী এবং জলযোজন প্রবণ[n 22] এবং জৈব দ্রাবকে দ্রবণীয়[117][118]
 * 1=সমযোজী, উদ্বায়ী[119]
  • 2=সাধারণত জৈব দ্রাবকে দ্রবীভূত হয়[120]
  • 3=আংশিক বা সম্পূর্ণ জলযোজিত[121]
  • 4=কিছু বিপরীতমুখীভাবে জলযোজিত[121]
 * 1=সমযোজী, উদ্বায়ী
  • 2=সাধারণত জৈব দ্রাবকে দ্রবীভূত হয়
  • 3=সাধারণত সম্পূর্ণ বা ব্যাপকভাবে জলযোজিত
  • 4=মূল অধাতু যদি তার পর্যায়ের সর্বোচ্চ সমযোজ্যতা প্রদর্শন করে, তবে সর্বদা জলযোজন প্রবণ হয় না; যেমন CF4, SF6 (সেক্ষেত্রে কোনো বিক্রিয়া হয় না)[122]
পরিবেশ রসায়ন
পৃথিবীর ইকোস্ফিয়ার-এর মোলার গঠন[n 23] * 1=প্রায় ১৪%, মূলত Al, Na, Mg, Ca, Fe, K * 1=প্রায় ১৭%, মূলত Si * 1=প্রায় ৬৯%, মূলত O, H
পৃথিবীতে প্রাচুর্যের প্রাথমিক রূপ * 1=অধিকাংশই সম্মিলিত অবস্থায় থাকে, যেমন carbonates, silicates, phosphates, oxides, sulfides বা halides হিসেবে
  • 2=কিছু (যেমন Au, Cu, Ag, Pt) মুক্ত বা অসংযুক্ত অবস্থায় পাওয়া যায়[126]
 * 1=সবই সম্মিলিত অবস্থায় থাকে, যেমন borates, সিলিকেট, সালফাইড বা tellurides হিসেবে * 1=মৌলিক C, N, O, S, noble gas প্রচুর পরিমাণে বিদ্যমান
  • 2=H,[n 24] F[n 25], Se মূলত যৌগের মধ্যে থাকে
  • 3=P, Cl, Br, I শুধুমাত্র যৌগের মধ্যে থাকে, যেমন ফসফেট, অক্সাইড, selenide বা হ্যালাইড হিসেবে
স্তন্যপায়ী প্রাণীর জন্য প্রয়োজনীয় * 1=প্রচুর পরিমাণে প্রয়োজন: Na, Mg, K, Ca
  • 2=অন্যান্য কিছু ট্রেস পরিমাণে প্রয়োজন
 * 1=ট্রেস পরিমাণে প্রয়োজন: B, Si, As * 1=প্রচুর পরিমাণে প্রয়োজন: H, C, N, O, P, S, Cl
  • 2=ট্রেস পরিমাণে প্রয়োজন: Se, Br, I, সম্ভবত F
  • 3=শুধুমাত্র নিষ্ক্রিয় গ্যাসগুলোর প্রয়োজন নেই
Composition of the human body, ওজন অনুযায়ী * 1=প্রায় ১.৫% Ca * 1=ট্রেস পরিমাণে B, Si, Ge, As, Sb, Te * 1=প্রায় ৯৭% O, C, H, N, P
  • 2=নিষ্ক্রিয় গ্যাস ছাড়া অন্যগুলো শনাক্তযোগ্য

নোট

  1. ↑ অন্যথায় উল্লেখ না থাকলে, প্রমাণ চাপ ও তাপমাত্রায় মৌলগুলোর সবচেয়ে তাপগতিগতভাবে স্থিতিশীল রূপের জন্য
  2. ↑ কোপার্নিসিয়াম একমাত্র ধাতু যা কক্ষ তাপমাত্রায় গ্যাসীয় বলে জানা গেছে।[14]
  3. ↑ পোলোনিয়াম নমনীয় নাকি ভঙ্গুর তা অস্পষ্ট। এর গণনাকৃত ইলাস্টিক কনস্ট্যান্ট অনুযায়ী এটি নমনীয় হওয়ার কথা।[19] এর গঠন সরল কিউবিক। এই ধরনের গঠনে খুব কম স্লিপ সিস্টেম থাকে এবং "এটি অত্যন্ত নিম্ন নমনীয়তা এবং তাই নিম্ন ফ্র্যাকচার প্রতিরোধের দিকে নিয়ে যায়"।[20]
  4. ↑ কার্বন যেমন এক্সফোলিয়েটেড (এক্সপ্যান্ডেড) গ্রাফাইট,[22] এবং মিটার-দীর্ঘ কার্বন ন্যানোটিউব তার; ফসফরাস যেমন সাদা ফসফরাস (মোমের মতো নরম, নমনীয় এবং কক্ষ তাপমাত্রায় ছুরি দিয়ে কাটা যায়);[23] সালফার যেমন প্লাস্টিক সালফার;[24] এবং সেলেনিয়াম যেমন সেলেনিয়াম তার।[25]
  5. ↑ অন্যথায় উল্লেখ না থাকলে মৌলগুলোর পলিক্রিস্টালাইন রূপের জন্য। পয়সনের অনুপাত সঠিকভাবে নির্ণয় করা কঠিন এবং কিছু রিপোর্ট করা মানের মধ্যে উল্লেখযোগ্য অনিশ্চয়তা থাকতে পারে।[26]
  6. ↑ মৌলিক ধাতুগুলোর মধ্যে বেরিলিয়ামের মান সবচেয়ে কম (০.০৪৭৬); ইন্ডিয়াম এবং থ্যালিয়ামের মান সবচেয়ে বেশি (০.৪৬)। প্রায় এক-তৃতীয়াংশের মান ≥ ০.৩৩।[27]
  7. ↑ বোরন ০.১৩;[28] সিলিকন ০.২২;[29] জার্মেনিয়াম ০.২৭৮;[30] নিরাকার আর্সেনিক ০.২৭;[31] অ্যান্টিমনি ০.২৫;[32] টেলুরিয়াম ~০.২।[33]
  8. ↑ গ্রাফাইটিক কার্বন ০.২৫;[34] [ডায়মন্ড ০.০৭১৮];[35] কালো ফসফরাস ০.৩০;[36] সালফার ০.২৮৭;[37] নিরাকার সেলেনিয়াম ০.৩২;[38] নিরাকার আয়োডিন ~০।[39]
  9. ↑ বায়ুমণ্ডলীয় চাপে, পরিচিত গঠনবিশিষ্ট মৌলগুলোর জন্য
  10. ↑ গোল্ডহ্যামার-হার্জফেল্ড মানদণ্ড হলো একটি অনুপাত যা একটি পরমাণুর ভ্যালেন্স ইলেকট্রনকে ধরে রাখা বলের সাথে কঠিন বা তরল মৌলের পরমাণুগুলোর মধ্যকার মিথস্ক্রিয়া থেকে উদ্ভূত বলের তুলনা করে। যখন আন্তঃপারমাণবিক বল পারমাণবিক বলের সমান বা বেশি হয়, তখন ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের বিচরণশীলতা নির্দেশিত হয়। তখন ধাতব আচরণের পূর্বাভাস দেওয়া হয়।[51] অন্যথায় অধাতব আচরণের পূর্বাভাস দেওয়া হয়। গোল্ডহ্যামার-হার্জফেল্ড মানদণ্ড ধ্রুপদী যুক্তির ওপর ভিত্তি করে তৈরি।[52] তবুও এটি মৌলগুলোর মধ্যে ধাতব বৈশিষ্ট্যের উপস্থিতির জন্য একটি তুলনামূলক সহজ প্রথম-স্তরের যৌক্তিক ব্যাখ্যা প্রদান করে।[53]
  11. ↑ ধাতুর তড়িৎ পরিবাহিতা মান ম্যাঙ্গানিজ-এর জন্য ৬.৯ × ১০৩ S•cm−১ থেকে রুপা-এর জন্য ৬.৩ × ১০৫ পর্যন্ত হয়।[56]
  12. ↑ অপধাতুর তড়িৎ পরিবাহিতা মান বোরন-এর জন্য ১.৫ × ১০−৬ S•cm−১ থেকে আর্সেনিক-এর জন্য ৩.৯ × ১০৪ পর্যন্ত হয়।[58] যদি সেলেনিয়াম-কে অপধাতু হিসেবে অন্তর্ভুক্ত করা হয়, তবে প্রযোজ্য পরিবাহিতা পরিসীমা ~১০−৯ থেকে ১০−১২ S•cm−১ থেকে শুরু হবে।[59][60][61]
  13. ↑ অধাতুর তড়িৎ পরিবাহিতা মান মৌলিক গ্যাসগুলোর জন্য ~১০−১৮ S•cm−১ থেকে গ্রাফাইটে ৩ × ১০৪ পর্যন্ত হয়।[62]
  14. ↑ মট এবং ডেভিস[64] অবশ্য উল্লেখ করেছেন যে 'তরল ইউরোপিয়ামের রোধের তাপমাত্রা সহগ ঋণাত্মক', অর্থাৎ তাপমাত্রা বাড়ার সাথে পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায়
  15. ↑ কক্ষ তাপমাত্রায় বা তার কাছাকাছি
  16. ↑ চেড[87] অপধাতুগুলোকে ১.৮ থেকে ২.২ (অলরেড-রোচাও স্কেল) তড়িৎ ঋণাত্মকতা মানবিশিষ্ট হিসেবে সংজ্ঞায়িত করেছেন। তিনি এই শ্রেণিতে বোরন, সিলিকন, জার্মেনিয়াম, আর্সেনিক, অ্যান্টিমনি, টেলুরিয়াম, পোলোনিয়াম এবং অ্যাস্টাটিন-কে অন্তর্ভুক্ত করেছিলেন। চেডের কাজের পর্যালোচনায়, অ্যাডলার[88] এই পছন্দটিকে স্বেচ্ছাচারী বলে বর্ণনা করেছেন, কারণ অন্যান্য মৌলের তড়িৎ ঋণাত্মকতাও এই পরিসরে রয়েছে, যার মধ্যে তামা, রুপা, ফসফরাস, পারদ এবং বিসমাথ অন্তর্ভুক্ত। তিনি অপধাতুকে কেবল 'একটি অর্ধপরিবাহী বা সেমিমেটাল' হিসেবে সংজ্ঞায়িত করার পরামর্শ দিয়েছেন এবং বইটিতে বিসমাথ ও সেলেনিয়াম-এর মতো আকর্ষণীয় উপাদানগুলো অন্তর্ভুক্ত করেছেন।
  17. ↑ ফসফরাস পাতলা ফিল্মে কার্বাইড গঠন করে বলে জানা গেছে।
  18. ↑ উদাহরণস্বরূপ, transition metal-এর সালফেট,[96] lanthanide[97] এবং actinide-এর সালফেটগুলো দেখুন।[98]
  19. ↑ অসমিয়ামের সালফেটগুলো খুব একটা নিশ্চিতভাবে শনাক্ত করা যায়নি।[99]
  20. ↑ সাধারণ অপধাতু (Metalloids): বোরন একটি অক্সিসালফেট (BO)2SO4,[100] একটি বাইসালফেট B(HSO4)3[101] এবং একটি সালফেট B2(SO4)3 গঠন করতে পারে বলে জানা যায়।[102] তবে সালফেট গঠনের বিষয়টি বিতর্কিত।[103] সিলিকন ফসফেটের অস্তিত্বের আলোকে, সিলিকন সালফেটও থাকতে পারে।[104] জার্মেনিয়াম একটি অস্থিতিশীল সালফেট Ge(SO4)2 (d ২০০ °সে.) গঠন করে।[105] আর্সেনিক অক্সাইড সালফেট As2O(SO4)2 (= As2O3.2SO3)[106] এবং As2(SO4)3 (= As2O3.3SO3) গঠন করে।[107] অ্যান্টিমনি একটি সালফেট Sb2(SO4)3 এবং একটি অক্সিসালফেট (SbO)2SO4 গঠন করে।[108] টেলুরিয়াম একটি অক্সাইড সালফেট Te2O3(SO)4 গঠন করে।[109] কম সাধারণ: পোলোনিয়াম একটি সালফেট Po(SO4)2 গঠন করে।[110] ধারণা করা হয় যে, অ্যাস্টাটিন ক্যাটায়ন অম্লীয় দ্রবণে সালফেট আয়নের সাথে একটি দুর্বল জটিল যৌগ (complex) গঠন করে।[111]
  21. ↑ হাইড্রোজেন hydrogen sulfate H2SO4 গঠন করে। কার্বন (একটি নীল রঙের) গ্রাফাইট হাইড্রোজেন সালফেট CHSO • 2.4H2SO4 গঠন করে।[112] নাইট্রোজেন নাইট্রোসিল হাইড্রোজেন সালফেট (NO)HSO4 এবং নাইট্রোনিয়াম (বা নাইট্রিল) হাইড্রোজেন সালফেট (NO2)HSO4 গঠন করে।[113] সেলেনিয়ামের একটি ক্ষারীয় সালফেট SeO2.SO3 বা SeO(SO4)-এর ইঙ্গিত পাওয়া যায়।[114] আয়োডিন একটি পলিমারিক হলুদ সালফেট (IO)2SO4 গঠন করে।[115]
  22. ↑ স্তর-ল্যাটিস প্রকারগুলো প্রায়শই বিপরীতমুখীভাবে এমন হয়
  23. ↑ জর্জিয়েভস্কি-এর বায়োস্ফিয়ার এবং লিথোস্ফিয়ারের (ভূত্বক, বায়ুমণ্ডল এবং সমুদ্রের পানি) মৌলিক গঠনের সারণী এবং লাইড ও ফ্রেডেরিকসে প্রদত্ত ভূত্বক ও হাইড্রোস্ফিয়ারের ভরের ওপর ভিত্তি করে।[123][124] বায়োস্ফিয়ারের ভর নগণ্য, যা লিথোস্ফিয়ারের ভরের প্রায় একশ কোটি ভাগের এক ভাগ। "মহাসাগরগুলো হাইড্রোস্ফিয়ারের প্রায় ৯৮ শতাংশ গঠন করে, এবং তাই হাইড্রোস্ফিয়ারের গড় গঠন কার্যত সমুদ্রের পানির গঠনের সমান।"[125]
  24. ↑ হাইড্রোজেন গ্যাস কিছু ব্যাকটেরিয়া এবং algae দ্বারা উৎপাদিত হয় এবং এটি flatus-এর একটি প্রাকৃতিক উপাদান। এটি পৃথিবীর বায়ুমণ্ডলে প্রতি মিলিয়নে ১ ভাগ আয়তন ঘনত্বে পাওয়া যায়।
  25. ↑ ফ্লোরিন তার মৌলিক আকারে antozonite খনিজের মধ্যে আবদ্ধ অবস্থায় পাওয়া যায়[127]

উদ্ধৃতি

  1. ↑ Mendeléeff 1897, p. 274
  2. ↑ 2.0 2.1 Kneen, Rogers & Simpson, 1972, p. 263। অন্যথায় উল্লেখ না থাকলে কলাম ২ (ধাতু) এবং ৪ (অধাতু) এই রেফারেন্স থেকে নেওয়া হয়েছে।
  3. ↑ Russell & Lee 2005, p. 147
  4. ↑ 4.0 4.1 4.2 Rochow 1966, p. 4
  5. ↑ Pottenger & Bowes 1976, p. 138
  6. ↑ Askeland, Fulay & Wright 2011, p. 806
  7. ↑ Born & Wolf 1999, p. 746
  8. ↑ Lagrenaudie 1953
  9. ↑ Rochow 1966, pp. 23, 25
  10. ↑ Burakowski & Wierzchoń 1999, p. 336
  11. ↑ Olechna & Knox 1965, pp. A991‒92
  12. ↑ Stoker 2010, p. 62
  13. ↑ Chang 2002, p. 304। চ্যাং অনুমান করেন যে ফ্রান্সিয়ামের গলনাঙ্ক প্রায় ২৩ °সে. হবে।
  14. ↑ New Scientist 1975; Soverna 2004; Eichler, Aksenov & Belozeroz et al. 2007; Austen 2012
  15. ↑ Hunt 2000, p. 256
  16. ↑ Sisler 1973, p. 89
  17. ↑ Hérold 2006, pp. 149–150
  18. ↑ Russell & Lee 2005
  19. ↑ Legit, Friák & Šob 2010, p. 214118-18
  20. ↑ Manson & Halford 2006, pp. 378, 410
  21. ↑ 21.0 21.1 McQuarrie & Rock 1987, p. 85
  22. ↑ Chung 1987; Godfrin & Lauter 1995
  23. ↑ Faraday 1853, p. 42; Holderness & Berry 1979, p. 255
  24. ↑ Partington 1944, p. 405
  25. ↑ Regnault 1853, p. 208
  26. ↑ Christensen 2012, p. 14
  27. ↑ Gschneidner 1964, pp. 292‒93।
  28. ↑ Qin et al. 2012, p. 258
  29. ↑ Hopcroft, Nix & Kenny 2010, p. 236
  30. ↑ Greaves et al. 2011, p. 826
  31. ↑ Brassington et al. 1980
  32. ↑ Martienssen & Warlimont 2005, p. 100
  33. ↑ Witczak 2000, p. 823
  34. ↑ Marlowe 1970, p. 6;Slyh 1955, p. 146
  35. ↑ Klein & Cardinale 1992, pp. 184‒85
  36. ↑ Appalakondaiah et al. 2012, pp. 035105‒6
  37. ↑ Sundara Rao 1950; Sundara Rao 1954; Ravindran 1998, pp. 4897‒98
  38. ↑ Lindegaard & Dahle 1966, p. 264
  39. ↑ Leith 1966, pp. 38‒39
  40. ↑ Donohoe 1982; Russell & Lee 2005
  41. ↑ Gupta et al. 2005, p. 502
  42. ↑ Walker, Newman & Enache 2013, p. 25
  43. ↑ Wiberg 2001, p. 143
  44. ↑ Batsanov & Batsanov 2012, p. 275
  45. ↑ Clementi & Raimondi 1963; Clementi, Raimondi & Reinhardt 1967
  46. ↑ Addison 1964; Donohoe 1982
  47. ↑ Vernon 2013, p. 1704
  48. ↑ Parish 1977, pp. 34, 48, 112, 142, 156, 178
  49. ↑ 49.0 49.1 Emsley 2001, p. 12
  50. ↑ Russell 1981, p. 628
  51. ↑ Herzfeld 1927; Edwards 2000, pp. 100–103
  52. ↑ Edwards 1999, p. 416
  53. ↑ Edwards & Sienko 1983, p. 695
  54. ↑ 54.0 54.1 Edwards & Sienko 1983, p. 691
  55. ↑ Edwards et al. 2010
  56. ↑ Desai, James & Ho 1984, p. 1160; Matula 1979, p. 1260
  57. ↑ Choppin & Johnsen 1972, p. 351
  58. ↑ Schaefer 1968, p. 76; Carapella 1968, p. 30
  59. ↑ Glazov, Chizhevskaya & Glagoleva 1969 p. 86
  60. ↑ Kozyrev 1959, p. 104
  61. ↑ Chizhikov & Shchastlivyi 1968, p. 25
  62. ↑ Bogoroditskii & Pasynkov 1967, p. 77; Jenkins & Kawamura 1976, p. 88
  63. ↑ Rao & Ganguly 1986
  64. ↑ Mott & Davis 2012, p. 177
  65. ↑ Antia 1998
  66. ↑ Cverna 2002, p.1
  67. ↑ Cordes & Scaheffer 1973, p. 79
  68. ↑ Hill & Holman 2000, p. 42
  69. ↑ Tilley 2004, p. 487
  70. ↑ Russell & Lee 2005, p. 466
  71. ↑ Zhigal'skii & Jones 2003, p. 66: 'বিসমাথ, অ্যান্টিমনি, আর্সেনিক এবং গ্রাফাইট-কে সেমিমেটাল হিসেবে বিবেচনা করা হয়... বাল্ক সেমিমেটালে... রোধ তাপমাত্রার সাথে বৃদ্ধি পাবে... যা রোধের একটি ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ প্রদান করে...'
  72. ↑ Jauncey 1948, p. 500: 'অধাতুর বেশিরভাগেরই ঋণাত্মক তাপমাত্রা সহগ থাকে। উদাহরণস্বরূপ, কার্বন... [এর] রোধ তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়। তবে, অত্যন্ত বিশুদ্ধ গ্রাফাইটের ওপর সাম্প্রতিক পরীক্ষায় দেখা গেছে যে, এই রূপের বিশুদ্ধ কার্বন রোধের ক্ষেত্রে ধাতুর মতো আচরণ করে।'
  73. ↑ Reynolds 1969, pp. 91–92
  74. ↑ 74.0 74.1 Wilson 1966, p. 260
  75. ↑ Wittenberg 1972, p. 4526
  76. ↑ Habashi 2003, p. 73
  77. ↑ Bailar et al. 1989, p. 742
  78. ↑ Cox 2004, p. 27
  79. ↑ Hiller & Herber 1960, inside front cover; p. 225
  80. ↑ Beveridge et al. 1997, p. 185
  81. ↑ 81.0 81.1 Young & Sessine 2000, p. 849
  82. ↑ Bailar et al. 1989, p. 417
  83. ↑ Metcalfe, Williams & Castka 1966, p. 72
  84. ↑ Chang 1994, p. 311
  85. ↑ Pauling 1988, p. 183
  86. ↑ Mann et al. 2000, p. 2783
  87. ↑ Chedd 1969, pp. 24–25
  88. ↑ Adler 1969, pp. 18–19
  89. ↑ Hultgren 1966, p. 648
  90. ↑ Bassett et al. 1966, p. 602
  91. ↑ Rochow 1966, p. 34
  92. ↑ Martienssen & Warlimont 2005, p. 257
  93. ↑ Sidorov 1960
  94. ↑ Atkins 2006 et al., pp. 8, 122–23
  95. ↑ Rao 2002, p. 22
  96. ↑ Wickleder, Pley & Büchner 2006; Betke & Wickleder 2011
  97. ↑ Cotton 1994, p. 3606
  98. ↑ Keogh 2005, p. 16
  99. ↑ Raub & Griffith 1980, p. 167
  100. ↑ Nemodruk & Karalova 1969, p. 48
  101. ↑ Sneed 1954, p. 472; Gillespie & Robinson 1959, p. 407
  102. ↑ Zuckerman & Hagen 1991, p. 303
  103. ↑ Sanderson 1967, p. 178
  104. ↑ Iler 1979, p. 190
  105. ↑ Sanderson 1960, p. 162; Greenwood & Earnshaw 2002, p. 387
  106. ↑ Mercier & Douglade 1982
  107. ↑ Douglade & Mercier 1982
  108. ↑ Wiberg 2001, p. 764
  109. ↑ Wickleder 2007, p. 350
  110. ↑ Bagnall 1966, pp. 140−41
  111. ↑ Berei & Vasáros 1985, pp. 221, 229
  112. ↑ Wiberg 2001, p. 795
  113. ↑ Lidin 1996, pp. 266, 270; Brescia et al. 1975, p. 453
  114. ↑ Greenwood & Earnshaw 2002, p. 786
  115. ↑ Furuseth et al. 1974
  116. ↑ Holtzclaw, Robinson & Odom 1991, pp. 706–07; Keenan, Kleinfelter & Wood 1980, pp. 693–95
  117. ↑ Kneen, Rogers & Simpson 1972, p. 278
  118. ↑ Heslop & Robinson 1963, p. 417
  119. ↑ Rochow 1966, pp. 28–29
  120. ↑ Bagnall 1966, pp. 108, 120; Lidin 1996, passim
  121. ↑ 121.0 121.1 Smith 1921, p. 295; Sidgwick 1950, pp. 605, 608; Dunstan 1968, pp. 408, 438
  122. ↑ Dunstan 1968, pp. 312, 408
  123. ↑ Georgievskii 1982, p. 58
  124. ↑ Lide & Frederikse 1998, p. 14–6
  125. ↑ Hem 1985, p. 7
  126. ↑ Perkins 1998, p. 350
  127. ↑ Sanderson 2012

তথ্যসূত্র

30em

  • Addison WE 1964, The allotropy of the elements, Oldbourne Press, London
  • Adler D 1969, 'Half-way elements: The technology of metalloids', book review, Technology Review, vol. 72, no. 1, Oct/Nov, pp. 18–19
  • Antia, Meher. 1998, 'Focus: Levitating Liquid Boron', American Physical Society, viewed 14 December 2014
  • Askeland DR, Fulay PP & Wright JW 2011, The science and engineering of materials, 6th ed., Cengage Learning, Stamford, CT, 0-495-66802-8
  • Atkins P, Overton T, Rourke J, Weller M & Armstrong F 2006, Shriver & Atkins' inorganic chemistry, 4th ed., Oxford University Press, Oxford, 0-7167-4878-9
  • Austen K 2012, 'A factory for elements that barely exist', NewScientist, 21 Apr, p. 12, ISSN 1032-1233
  • Bagnall KW 1966, The chemistry of selenium, tellurium and polonium, Elsevier, Amsterdam
  • Bailar JC, Moeller T, Kleinberg J, Guss CO, Castellion ME & Metz C 1989, Chemistry, 3rd ed., Harcourt Brace Jovanovich, San Diego, 0-15-506456-8
  • Bassett LG, Bunce SC, Carter AE, Clark HM & Hollinger HB 1966, Principles of chemistry, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ
  • Batsanov SS & Batsanov AS 2012, Introduction to structural chemistry, Springer Science+Business Media, Dordrecht, 978-94-007-4770-8
  • Berei K & Vasáros L 1985, 'Astatine compounds', in Kugler & Keller
  • Beveridge TJ, Hughes MN, Lee H, Leung KT, Poole RK, Savvaidis I, Silver S & Trevors JT 1997, 'Metal–microbe interactions: Contemporary approaches', in RK Poole (ed.), Advances in microbial physiology, vol. 38, Academic Press, San Diego, pp. 177–243, 0-12-027738-7
  • Bogoroditskii NP & Pasynkov VV 1967, Radio and electronic materials, Iliffe Books, London
  • Booth VH & Bloom ML 1972, Physical science: a study of matter and energy, Macmillan, New York
  • Born M & Wolf E 1999, Principles of optics: Electromagnetic theory of propagation, interference and diffraction of light, 7th ed., Cambridge University Press, Cambridge, 0-521-64222-1
  • Brasted RC 1974, 'Oxygen group elements and their compounds', in The new Encyclopædia Britannica, vol. 13, Encyclopædia Britannica, Chicago, pp. 809–824
  • Brescia F, Arents J, Meislich H & Turk A 1975, Fundamentals of chemistry, 3rd ed., Academic Press, New York, p. 453, 978-0-12-132372-1
  • Brinkley SR 1945, Introductory general chemistry, 3rd ed., Macmillan, New York
  • Burakowski T & Wierzchoń T 1999, Surface engineering of metals: Principles, equipment, technologies, CRC Press, Boca Raton, Fla, 0-8493-8225-4
  • Carapella SC 1968a, 'Arsenic' in CA Hampel (ed.), The encyclopedia of the chemical elements, Reinhold, New York, pp. 29–32
  • Chang R 1994, Chemistry, 5th (international) ed., McGraw-Hill, New York
  • Chang R 2002, Chemistry, 7th ed., McGraw Hill, Boston
  • Chedd G 1969, Half-way elements: The technology of metalloids, Doubleday, New York
  • Chizhikov DM & Shchastlivyi VP 1968, Selenium and selenides, translated from the Russian by EM Elkin, Collet's, London
  • Choppin GR & Johnsen RH 1972, Introductory chemistry, Addison-Wesley, Reading, Massachusetts
  • Christensen RM 2012, 'Are the elements ductile or brittle: A nanoscale evaluation', in Failure theory for materials science and engineering, chapter 12, p. 14
  • Cordes EH & Scaheffer R 1973, Chemistry, Harper & Row, New York
  • Cotton SA 1994, 'Scandium, yttrium & the lanthanides: Inorganic & coordination chemistry', in RB King (ed.), Encyclopedia of inorganic chemistry, 2nd ed., vol. 7, John Wiley & Sons, New York, pp. 3595–3616, 978-0-470-86078-6
  • Cox PA 2004, Inorganic chemistry, 2nd ed., Instant notes series, Bios Scientific, London, 1-85996-289-0
  • Cverna F 2002, ASM ready reference: Thermal properties of metals, ASM International, Materials Park, Ohio, 0-87170-768-3
  • Donohoe J 1982, The Structures of the Elements, Robert E. Krieger, Malabar, Florida, 0-89874-230-7
  • Dunstan S 1968, Principles of chemistry, D. Van Nostrand Company, London
  • Eby GS, Waugh CL, Welch HE & Buckingham BH 1943, The physical sciences, Ginn and Company, Boston
  • Edwards PP 2000, 'What, why and when is a metal?', in N Hall (ed.), The new chemistry, Cambridge University, Cambridge, pp. 85–114
  • Emsley J 2001, Nature's building blocks: An A–Z guide to the elements, 0-19-850341-5
  • Georgievskii VI 1982, 'Biochemical regions. Mineral composition of feeds', in VI Georgievskii, BN Annenkov & VT Samokhin (eds), Mineral nutrition of animals: Studies in the agricultural and food sciences, Butterworths, London, pp. 57–68, 0-408-10770-7
  • Gillespie RJ & Robinson EA 1959, 'The sulphuric acid solvent system', in HJ Emeléus & AG Sharpe (eds), Advances in inorganic chemistry and radiochemistry, vol. 1, Academic Press, New York, pp. 386–424
  • Glazov VM, Chizhevskaya SN & Glagoleva NN 1969, Liquid semiconductors, Plenum, New York
  • Glinka N 1965, General chemistry, trans. D Sobolev, Gordon & Breach, New York
  • Greenwood NN & Earnshaw A 2002, Chemistry of the elements, 2nd ed., Butterworth-Heinemann, 0-7506-3365-4
  • Gupta A, Awana VPS, Samanta SB, Kishan H & Narlikar AV 2005, 'Disordered superconductors' in AV Narlikar (ed.), Frontiers in superconducting materials, Springer-Verlag, Berlin, p. 502, 3-540-24513-8
  • Habashi F 2003, Metals from ores: an introduction to extractive metallurgy, Métallurgie Extractive Québec, Sainte Foy, Québec, 2-922686-04-3
  • Manson SS & Halford GR 2006, Fatigue and Durability of Structural Materials, ASM International, Materials Park, OH, 0-87170-825-6
  • Hem JD 1985, Study and interpretation of the chemical characteristics of natural water, paper 2254, 3rd ed., US Geological Society, Alexandria, Virginia
  • Heslop RB & Robinson PL 1963, Inorganic chemistry: A guide to advanced study, Elsevier, Amsterdam
  • Hill G & Holman J 2000, Chemistry in context, 5th ed., Nelson Thornes, Cheltenham, 0-17-448307-4
  • Hiller LA & Herber RH 1960, Principles of chemistry, McGraw-Hill, New York
  • Holtzclaw HF, Robinson WR & Odom JD 1991, General chemistry, 9th ed., DC Heath, Lexington, 0-669-24429-5
  • Huheey JE, Keiter EA & Keiter RL 1993, Principles of Structure & Reactivity, 4th ed., HarperCollins College Publishers, 0-06-042995-X
  • Hultgren HH 1966, 'Metalloids', in GL Clark & GG Hawley (eds), The encyclopedia of inorganic chemistry, 2nd ed., Reinhold Publishing, New York
  • Hunt A 2000, The complete A-Z chemistry handbook, 2nd ed., Hodder & Stoughton, London
  • Iler RK 1979, The chemistry of silica: solubility, polymerization, colloid and surface properties, and biochemistry, John Wiley, New York, 978-0-471-02404-0
  • Jauncey GEM 1948, Modern physics: A second course in college physics, D. Von Nostrand, New York
  • Jenkins GM & Kawamura K 1976, Polymeric carbons—carbon fibre, glass and char, Cambridge University Press, Cambridge
  • Keenan CW, Kleinfelter DC & Wood JH 1980, General college chemistry, 6th ed., Harper & Row, San Francisco, 0-06-043615-8
  • Keogh DW 2005, 'Actinides: Inorganic & coordination chemistry', in RB King (ed.), Encyclopedia of inorganic chemistry, 2nd ed., vol. 1, John Wiley & Sons, New York, pp. 2–32, 978-0-470-86078-6
  • Klein CA & Cardinale GF 1992, 'Young's modulus and Poisson's ratio of CVD diamond', in A Feldman & S Holly, SPIE Proceedings, vol. 1759, Diamond Optics V, pp. 178‒192, 10.1117/12.130771
  • Kneen WR, Rogers MJW & Simpson P 1972, Chemistry: Facts, patterns, and principles, Addison-Wesley, London
  • Kozyrev PT 1959, 'Deoxidized selenium and the dependence of its electrical conductivity on pressure. II', Physics of the solid state, translation of the journal Solid State Physics (Fizika tverdogo tela) of the Academy of Sciences of the USSR, vol. 1, pp. 102–110
  • Lagrenaudie J 1953, 'Semiconductive properties of boron' (in French), Journal de chimie physique, vol. 50, nos. 11–12, Nov-Dec, pp. 629–633
  • Leith MM 1966, Velocity of sound in solid iodine, MSc thesis, University of British Columbia. Leith comments that, '... as iodine is anisotropic in many of its physical properties most attention was paid to two amorphous samples which were thought to give representative average values of the properties of iodine' (p. iii).
  • Lide DR & Frederikse HPR (eds) 1998, CRC Handbook of chemistry and physics, 79th ed., CRC Press, Boca Raton, Florida, 0-849-30479-2
  • Lidin RA 1996, Inorganic substances handbook, Begell House, New York, 1-56700-065-7
  • Marlowe MO 1970, Elastic properties of three grades of fine grained graphite to 2000 °C, NASA CR‒66933, National Aeronautics and Space Administration, Scientific and Technical Information Facility, College Park, Maryland
  • Martienssen W & Warlimont H (eds) 2005, Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data, Springer, Heidelberg, 3-540-30437-1
  • McQuarrie DA & Rock PA 1987, General chemistry, 3rd ed., WH Freeman, New York
  • Mendeléeff DI 1897, The Principles of Chemistry, vol. 2, 5th ed., trans. G Kamensky, AJ Greenaway (ed.), Longmans, Green & Co., London
  • Metcalfe HC, Williams JE & Castka JF 1966, Modern chemistry, 3rd ed., Holt, Rinehart and Winston, New York
  • Mott NF & Davis EA 2012, 'Electronic Processes in Non-Crystalline Materials', 2nd ed., Oxford University Press, Oxford, 978-0-19-964533-6
  • Nemodruk AA & Karalova ZK 1969, Analytical chemistry of boron, R Kondor trans., Ann Arbor Humphrey Science, Ann Arbor, Michigan
  • New Scientist 1975, 'Chemistry on the islands of stability', 11 Sep, p. 574, ISSN 1032-1233
  • Orton JW 2004, The story of semiconductors, Oxford University, Oxford, 0-19-853083-8
  • Parish RV 1977, The metallic elements, Longman, London
  • Partington JR 1944, A text-book of inorganic chemistry, 5th ed., Macmillan & Co., London
  • Pauling L 1988, General chemistry, Dover Publications, NY, 0-486-65622-5
  • Perkins D 1998, Mineralogy, Prentice Hall Books, Upper Saddle River, New Jersey, 0-02-394501-X
  • Pottenger FM & Bowes EE 1976, Fundamentals of chemistry, Scott, Foresman and Co., Glenview, Illinois
  • Rao KY 2002, Structural chemistry of glasses, Elsevier, Oxford, 0-08-043958-6
  • Raub CJ & Griffith WP 1980, 'Osmium and sulphur', in Gmelin handbook of inorganic chemistry, 8th ed., 'Os, Osmium: Supplement', K Swars (ed.), system no. 66, Springer-Verlag, Berlin, pp. 166–170, 3-540-93420-0
  • Reynolds WN 1969, Physical properties of graphite, Elsevier, Amsterdam
  • Rochow EG 1966, The metalloids, DC Heath and Company, Boston
  • Russell JB 1981, General chemistry, McGraw-Hill, Auckland
  • Russell AM & Lee KL 2005, Structure-property relations in nonferrous metals, Wiley-Interscience, New York, 0-471-64952-X
  • Sanderson RT 1960, Chemical periodicity, Reinhold Publishing, New York
  • Sanderson RT 1967, Inorganic chemistry, Reinhold, New York
  • Sanderson K 2012, 'Stinky rocks hide Earth's only haven for natural fluorine', Nature News, July, 10.1038/nature.2012.10992
  • Schaefer JC 1968, 'Boron' in CA Hampel (ed.), The encyclopedia of the chemical elements, Reinhold, New York, pp. 73–81
  • Sidgwick NV 1950, The chemical elements and their compounds, vol. 1, Clarendon, Oxford
  • Sisler HH 1973, Electronic structure, properties, and the periodic law, Van Nostrand, New York
  • Slyh JA 1955, 'Graphite', in JF Hogerton & RC Grass (eds), Reactor handbook: Materials, US Atomic Energy Commission, McGraw Hill, New York, pp. 133‒154
  • Smith A 1921, General chemistry for colleges, 2nd ed., Century, New York
  • Sneed MC 1954, General college chemistry, Van Nostrand, New York
  • Soverna S 2004, 'Indication for a gaseous element 112', in U Grundinger (ed.), GSI Scientific Report 2003, GSI Report 2004-1, p. 187, ISSN 0174-0814
  • Stoker HS 2010, General, organic, and biological chemistry, 5th ed., Brooks/Cole, Cengage Learning, Belmont CA, 0-495-83146-8
  • Sundara Rao RVG 1954, 'Erratum to: Elastic constants of orthorhombic sulphur', Proceedings of the Indian Academy of Sciences, Section A, vol. 40, no. 3, p. 151
  • Tilley RJD 2004, Understanding solids: The science of materials, 4th ed., John Wiley, New York
  • Walker JD, Newman MC & Enache M 2013, Fundamental QSARs for metal ions, CRC Press, Boca Raton, 978-1-4200-8434-4
  • Wiberg N 2001, Inorganic chemistry, Academic Press, San Diego, 0-12-352651-5
  • Wickleder MS 2007, 'Chalcogen-oxygen chemistry', in FA Devillanova (ed.), Handbook of chalcogen chemistry: new perspectives in sulfur, selenium and tellurium, RSC, Cambridge, pp. 344–377, 978-0-85404-366-8
  • Wilson AH 1966, Thermodynamics and statistical mechanics, Cambridge University, Cambridge
  • Witczak Z, Goncharova VA & Witczak PP 2000, 'Irreversible effect of hydrostatic pressure on the elastic properties of polycrystalline tellurium', in MH Manghnani, WJ Nellis & MF Nicol (eds), Science and technology of high pressure: Proceedings of the International Conference on High Pressure Science and Technology (AIRAPT-17), Honolulu, Hawaii, 25‒30 July 1999, vol. 2, Universities Press, Hyderabad, pp. 822‒825, 81-7371-339-1
  • Young RV & Sessine S (eds) 2000, World of chemistry, Gale Group, Farmington Hills, Michigan
  • Zhigal'skii GP & Jones BK 2003, Physical properties of thin metal films, Taylor & Francis, London, 0-415-28390-6
  • Zuckerman & Hagen (eds) 1991, Inorganic reactions and methods, vol, 5: The formation of bonds to group VIB (O, S, Se, Te, Po) elements (part 1), VCH Publishers, Deerfield Beach, Fla, 0-89573-250-5

উৎস: ইংরেজি উইকিপিডিয়ার “Properties of metals, metalloids and nonmetals” নিবন্ধের অনুবাদ। মূল নিবন্ধ: https://en.wikipedia.org/wiki/Properties_of_metals,_metalloids_and_nonmetals এই অনুবাদটি স্বয়ংক্রিয়ভাবে প্রস্তুত করা হয়েছে।

Retrieved from "https://ltrc.sciwiki.in/index.php?title=ধাতু,_অপধাতু_এবং_অধাতুর_বৈশিষ্ট্য&oldid=12238"